ELECTRON SPIN RESONANCE IN PHOSPHORUS-DOPED SILICON
掺磷的硅中电子自旋共振

本文叙述了在室温、液N2和液H2及其降压温度下,利用3厘米波段双重调制波谱仪对掺磷原子浓度为～1015—～1018/厘米3的硅样品进行的电子自旋共振研究,文中还简述了低温控制系统。实验观察到传导电子、表面缺陷中心和电子-核超精细结构谱线,以及有效电子-施子核对的互作用谱线,并获得相应的g因子。在14°K下,得到施主核上电子波函数幅度的平方|Ψ(0)|2和电子-核超精细互作用常数αD,与G.Feher在1.25°K下利用电子-核双共振方法得到的结果相近。