%0 Journal Article
%T ELECTRON SPIN RESONANCE IN PHOSPHORUS-DOPED SILICON<br>掺磷的硅中电子自旋共振
%A LIN HUNG-I
%A CHENG JUNG
%A SHUNG FA-HUA
%A CHEN CHANG-LAN
%A <br>林鸿溢
%A 郑东
%A 宋法华
%A 谌长兰
%J 物理学报
%D 1966
%I 
%X 本文叙述了在室温、液N2和液H2及其降压温度下,利用3厘米波段双重调制波谱仪对掺磷原子浓度为～1015—～1018/厘米3的硅样品进行的电子自旋共振研究,文中还简述了低温控制系统。实验观察到传导电子、表面缺陷中心和电子-核超精细结构谱线,以及有效电子-施子核对的互作用谱线,并获得相应的g因子。在14°K下,得到施主核上电子波函数幅度的平方|Ψ(0)|2和电子-核超精细互作用常数αD,与G.Feher在1.25°K下利用电子-核双共振方法得到的结果相近。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=20B068DD6670A522&yid=C7EA1836BA194C9B&vid=BC12EA701C895178&iid=94C357A881DFC066&sid=20C3B205768D55E0&eid=640CCB6E396307A8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0