THE STUDY OF THE TRANSITION REGION AT THE INTERFACE OF Si-SiO2 BY XPS
硅—二氧化硅界面过渡区的XPS研究

本文报道了用X射线光电子能谱的角度效应研究硅-二氧化硅界面过渡区的结果。样品为(111)取向的硅单晶片上低温(700℃)氧化生成的超薄氧化膜,膜的厚度不大于50?。氧化膜与单晶衬底中Si2p光电子谱峰之间的化学位移(δ)和强度比(I0x/Isi)随光电子发射角(θ)的变化明显地偏离理想界面所预期的结果,表明在硅-二氧化硅的界面处存在化学比为SiOx(0yO4-y(0≤y≤4)型四面体。比较实验曲线与随机成键模型的计算结果,估计出过渡区的宽度不大于20?,小于Si2p光电子在二氧化硅中的平均逃逸深度。对改变氧化时间结合Ar+刻蚀制得的氧化膜厚度不同的样品所作的测量,得到与角度实验相一致的结果。