%0 Journal Article
%T THE STUDY OF THE TRANSITION REGION AT THE INTERFACE OF Si-SiO2 BY XPS<br>硅—二氧化硅界面过渡区的XPS研究
%A LIN RONG-FU
%A DAI DAO-XUAN
%A JIANG SHAO-YOU
%A ZHANG YONG-FU
%A BAO WEI-GUO
%A LU GUO-LIANG
%A <br>林荣富
%A 戴道宣
%A 江绍酉尤
%A 张永福
%A 包伟国
%A 吕国樑
%J 物理学报
%D 1981
%I 
%X 本文报道了用X射线光电子能谱的角度效应研究硅-二氧化硅界面过渡区的结果。样品为(111)取向的硅单晶片上低温(700℃)氧化生成的超薄氧化膜,膜的厚度不大于50?。氧化膜与单晶衬底中Si2p光电子谱峰之间的化学位移(δ)和强度比(I0x/Isi)随光电子发射角(θ)的变化明显地偏离理想界面所预期的结果,表明在硅-二氧化硅的界面处存在化学比为SiOx(0yO4-y(0≤y≤4)型四面体。比较实验曲线与随机成键模型的计算结果,估计出过渡区的宽度不大于20?,小于Si2p光电子在二氧化硅中的平均逃逸深度。对改变氧化时间结合Ar+刻蚀制得的氧化膜厚度不同的样品所作的测量,得到与角度实验相一致的结果。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0AF0EC8E27788D0E034ABFAC69B28EC0&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=73839ECFB80A3712&eid=10F17081942653E7&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0