DETERMINATION OF THE ATOMIC CONCENTRATION RATIO ON InP (100) CLEAN SURFACES BY X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY
用X射线光电子能谱测定InP(100)清洁表面的原子浓度比

根据XPS的强度测量和作者先前确定的原子灵敏度因子,测定了InP(100)表面的In/P原子比。实验结果表明氩离子轰击有择优溅射作用,在1keV刻蚀能量下,In/P浓度比为2.2,随氩离子能量增加而单调上升。样品在超高真空中300℃附近退火30分钟后,表面In/P比降为1.2,接近于体内化学计量比的值。从XPS强度的角度关系和In3d5/2结合能的化学位移中可以推测,离子轰击造成In—P化学键的破裂,在退火后又重新键合,使得表面成为有序结构,而最外层原子是富铟的。