%0 Journal Article
%T DETERMINATION OF THE ATOMIC CONCENTRATION RATIO ON InP (100) CLEAN SURFACES BY X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY<br>用X射线光电子能谱测定InP(100)清洁表面的原子浓度比
%A Yu Ming-ren
%A Yang Guang
%A Wang Xun
%A <br>俞鸣人
%A 杨光
%A 王迅
%J 物理学报
%D 1983
%I 
%X 根据XPS的强度测量和作者先前确定的原子灵敏度因子,测定了InP(100)表面的In/P原子比。实验结果表明氩离子轰击有择优溅射作用,在1keV刻蚀能量下,In/P浓度比为2.2,随氩离子能量增加而单调上升。样品在超高真空中300℃附近退火30分钟后,表面In/P比降为1.2,接近于体内化学计量比的值。从XPS强度的角度关系和In3d5/2结合能的化学位移中可以推测,离子轰击造成In—P化学键的破裂,在退火后又重新键合,使得表面成为有序结构,而最外层原子是富铟的。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=E7D1735FA562C54D7CC73E05766CBF15&yid=A7F20A391020FDEE&vid=9971A5E270697F23&iid=B31275AF3241DB2D&sid=5EEA08EFB4616D1C&eid=4AB2A4AB67F2B16E&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0