A DISLOCATION SOURCE IN THE FLOAT-ZONE GROWN SILICON SINGLE CRYSTALS
区熔硅单晶中一种位错源

用化学侵蚀法研究了区熔法生长的硅单晶体中的杂质条,以及由此杂质条的体印压产生的位错环列。实验结果表明,杂质条处在硅中{111}面的〈110〉方向上,杂质条的长度约为5—230μm;其横向尺寸约为2—3μm。我们研究了杂质条体印压产生的位错环列的几何结构。杂质条的尺寸和形状决定了位错环的尺寸和形状。还观察和分析了位错环列交叠产生的位错网络。