%0 Journal Article
%T A DISLOCATION SOURCE IN THE FLOAT-ZONE GROWN SILICON SINGLE CRYSTALS<br>区熔硅单晶中一种位错源
%A LIU ZHEN-MAO
%A WANG GUI-HUA
%A <br>刘振茂
%A 王贵华
%J 物理学报
%D 1980
%I 
%X 用化学侵蚀法研究了区熔法生长的硅单晶体中的杂质条,以及由此杂质条的体印压产生的位错环列。实验结果表明,杂质条处在硅中{111}面的〈110〉方向上,杂质条的长度约为5—230μm;其横向尺寸约为2—3μm。我们研究了杂质条体印压产生的位错环列的几何结构。杂质条的尺寸和形状决定了位错环的尺寸和形状。还观察和分析了位错环列交叠产生的位错网络。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=D80BB80C1E4B04C7612DE7E86AECEB4B&yid=E56875464B1C0EC1&vid=771469D9D58C34FF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=4E85BC78FC25985C&eid=4206C58D935377EA&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0