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物理学报 1980
ELLIPSOMETRIC STUDY OF DAMAGE AND ANNEALING IN ARSENIC ION IMPLANTED SILICON
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Abstract:
我们用椭圆偏光法对As+离子注入Si的损伤和退火效应进行了测量。对As+注入能量为150keV、注入剂量为1016cm-2的情况,测得的折射率分布呈现平台型,表明出现了非晶质层。在600—700℃间有一转变温度,高于此温度退火,可消除非晶质层。实验结果表明椭圆偏光法亦是测定辐射损伤的有用工具。