%0 Journal Article
%T ELLIPSOMETRIC STUDY OF DAMAGE AND ANNEALING IN ARSENIC ION IMPLANTED SILICON<br>用椭圆偏光法研究硅中砷离子注入的损伤和退火效应
%A MO DANG
%A LU YIN-CHENG
%A LI DAN-HUI
%A LIU SHANG-HE
%A LU WU-XING
%A <br>莫党
%A 卢因诚
%A 李旦晖
%A 刘尚合
%A 卢武星
%J 物理学报
%D 1980
%I 
%X 我们用椭圆偏光法对As+离子注入Si的损伤和退火效应进行了测量。对As+注入能量为150keV、注入剂量为1016cm-2的情况,测得的折射率分布呈现平台型,表明出现了非晶质层。在600—700℃间有一转变温度,高于此温度退火,可消除非晶质层。实验结果表明椭圆偏光法亦是测定辐射损伤的有用工具。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2089671AF2F193C1&yid=E56875464B1C0EC1&vid=771469D9D58C34FF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=4BE5C218638B5C80&eid=DB29DCDE63A11F6A&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0