LIGAND FIELD CALCULATION OF THE RELATIVE DISPLACEMENTS OF THE d BAND IN V3X SYSTEM
V3X系d带相对移动量的配位场方法的计算

本文用配位场方法计算在D2d)晶场作用下,V3X(X=Si,Ga,Ge,Sb,Sn)超导化合物中d电子各态的附加势能,给出A-15超导化合物d带相对移动模型中的特征量——d子带相对移动量△E⊥——与晶格常数的解析关系及其数值结果。并用于磁化率的计算。