%0 Journal Article
%T LIGAND FIELD CALCULATION OF THE RELATIVE DISPLACEMENTS OF THE d BAND IN V3X SYSTEM<br>V3X系d带相对移动量的配位场方法的计算
%A ZHU YUAN-ZHEN
%A PAN SHAO-HUA
%A <br>朱元贞
%A 潘少华
%J 物理学报
%D 1983
%I 
%X 本文用配位场方法计算在D2d)晶场作用下,V3X(X=Si,Ga,Ge,Sb,Sn)超导化合物中d电子各态的附加势能,给出A-15超导化合物d带相对移动模型中的特征量——d子带相对移动量△E⊥——与晶格常数的解析关系及其数值结果。并用于磁化率的计算。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=A1A68A8CD65D5B9927A82F29E73C2FE3&yid=A7F20A391020FDEE&vid=9971A5E270697F23&iid=38B194292C032A66&sid=34D9E20AD82A0D72&eid=1FF3CD54EFC256A1&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0