基于改进型单π和双π拓扑结构的螺旋电感可缩放模型的建模与比较

本文针对改进型的单π 和双π等效电路模型，建立了两个用于片上螺旋电感建模的可缩放模型。两个可缩放模型中的所有元件均由与物理尺寸相关的方程表示，且均能准确表征射频螺旋电感的性能。通过等效电路和参数提取的复杂性、缩放规则以及两个可缩放模型的准确性等方面，对单π和双π 的可缩放模型进行了对比。这两个可缩放模型的准确性通过一批具有不同感值、圈数和半径，基于0.18-μm 1P6M RF CMOS工艺的电感进行了验证，结果表明在低频到自谐振频率频段内，测试和仿真结果拟合良好。