%0 Journal Article
%T 基于改进型单π和双π拓扑结构的螺旋电感可缩放模型的建模与比较
%A 邹欢欢
%A 孙玲玲
%A 文进才
%A 刘军
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文针对改进型的单π 和双π等效电路模型，建立了两个用于片上螺旋电感建模的可缩放模型。两个可缩放模型中的所有元件均由与物理尺寸相关的方程表示，且均能准确表征射频螺旋电感的性能。通过等效电路和参数提取的复杂性、缩放规则以及两个可缩放模型的准确性等方面，对单π和双π 的可缩放模型进行了对比。这两个可缩放模型的准确性通过一批具有不同感值、圈数和半径，基于0.18-μm 1P6M RF CMOS工艺的电感进行了验证，结果表明在低频到自谐振频率频段内，测试和仿真结果拟合良好。
%K RF-CMOS
%K 片上螺旋电感
%K 可缩放模型
%K 1-π
%K 2-π
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=67232D5687DF7CEF31D0F53D8409F6F0&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=94C357A881DFC066&sid=BB12D2C34F3052C5&eid=DF92D298D3FF1E6E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0