Design and application of a depletion-mode NJFET in a high-voltage BiCMOS process
高压BiCMOS工艺中耗尽型NJFET的设计与应用

摘 要：本文提出了一种新型的兼容高压BiCMOS工艺的耗尽型NJFET，并实际研制了一种四路12位数模转换器。研制的NJFET夹断电压-1.5V，击穿电压17V；带轻掺杂漏区的高压NMOS管开启电压1.0V，击穿电压35V；齐纳二极管的正向电压5.5V。使用该耗尽型NJFET及其兼容工艺研制的四路12位数模转换器的基准温度系数为±25ppm/℃，微分误差小于±0.3LSB，线性误差小于±0.5LSB，还可以广泛应用于其他高压数模/模数转换器的研制。