%0 Journal Article
%T Design and application of a depletion-mode NJFET in a high-voltage BiCMOS process<br>高压BiCMOS工艺中耗尽型NJFET的设计与应用
%A Liu Yong
%A Tang Zhaohuan
%A Wang Zhikuan
%A Yang Yonghui
%A Yang Weidong
%A Hu Yonggui
%A <br>刘勇
%A 唐昭焕
%A 王志宽
%A 杨永晖
%A 杨卫东
%A 胡永贵
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 摘 要：本文提出了一种新型的兼容高压BiCMOS工艺的耗尽型NJFET，并实际研制了一种四路12位数模转换器。研制的NJFET夹断电压-1.5V，击穿电压17V；带轻掺杂漏区的高压NMOS管开启电压1.0V，击穿电压35V；齐纳二极管的正向电压5.5V。使用该耗尽型NJFET及其兼容工艺研制的四路12位数模转换器的基准温度系数为±25ppm/℃，微分误差小于±0.3LSB，线性误差小于±0.5LSB，还可以广泛应用于其他高压数模/模数转换器的研制。
%K depletion-mode NJFET
%K high-voltage BiCMOS process
%K ADC
%K DAC
%K temperature coefficient oindent<br>耗尽型NJFET
%K 高压BiCMOS工艺
%K 模数转换器
%K 数模转换器
%K 温度系数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7511358DAF6D5FF026317F74BF42C7C0&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=5D311CA918CA9A03&sid=E5769B58484A51E2&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0