0.18微米三重自对准分栅闪存擦除电压对耐久性的影响

本论文对0.18微米三重自对准分栅闪存中擦除电压对耐久性的影响进行了研究。为了得到最好的耐久性，擦除电压需要进行合适的优化。由于隧穿氧化层会在编程/擦除循环过程中产生电荷陷阱并俘获电荷从而降低浮栅电势，过低的擦除电压会增加闪存单元电流对于浮栅电势变化的敏感性，从而造成更严重的耐久性退化。同时，过高的擦除电压会在选择栅氧化层中产生陷阱电荷，从而也会造成更严重的耐久性退化。论文同时提出了一种擦除电压递增的方法并进行了验证。这种方法能够更好地在两种耐久性退化机制之间进行平衡，从而进一步改善耐久性。