%0 Journal Article
%T 0.18微米三重自对准分栅闪存擦除电压对耐久性的影响
%A 董耀旗
%A 孔蔚然
%A Nhan Do
%A 王序伦
%A 李荣林
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本论文对0.18微米三重自对准分栅闪存中擦除电压对耐久性的影响进行了研究。为了得到最好的耐久性，擦除电压需要进行合适的优化。由于隧穿氧化层会在编程/擦除循环过程中产生电荷陷阱并俘获电荷从而降低浮栅电势，过低的擦除电压会增加闪存单元电流对于浮栅电势变化的敏感性，从而造成更严重的耐久性退化。同时，过高的擦除电压会在选择栅氧化层中产生陷阱电荷，从而也会造成更严重的耐久性退化。论文同时提出了一种擦除电压递增的方法并进行了验证。这种方法能够更好地在两种耐久性退化机制之间进行平衡，从而进一步改善耐久性。
%K 分栅闪存
%K 耐久性
%K 擦除电压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F63D9A35DA73EADD3301F24AD49209CC&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=B31275AF3241DB2D&sid=8B80724A5B25FA2D&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0