Annealing optimization of hydrogenated amorphous silicon suboxide film for solar cell application
应用于太阳能电池的氢化非晶亚氧化硅的退火优化

在此篇文章中，开发出了适用于工业化生产的氢化非晶亚氧化硅(a-SiOx:H)作为太阳能电池的钝化层的工艺方法。a-SiOx:H钝化层使用PECVD方法，在大概250℃条件下生长，气体由一氧化氮、氦气和硅烷组成。我们又进一步研究了退火对少数载流子寿命和表面复合速率的影响，因为其对太阳能电池的最终效率影响很大。在4 Ω cm，P型FZ硅片上测试，少数载流子寿命在退火前只有270us，在退火之后可以达到670us，相应的表面复合速率从70 cm/s 降到30 cm/s。光学特性分析发现，和在太阳能电池中经常使用的本征非晶硅钝化层相比，a-SiOx:H在蓝光附近的光的吸收率有很大的下降。本文引入制作a-SiOx:H钝化层的方法成本低、质量高，适合于工业化生产。