%0 Journal Article
%T Annealing optimization of hydrogenated amorphous silicon suboxide film for solar cell application<br>应用于太阳能电池的氢化非晶亚氧化硅的退火优化
%A Jia Guangzhi
%A Liu Honggang
%A Chang Hudong
%A <br>贾广智
%A 刘洪刚
%A 常虎东
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 在此篇文章中，开发出了适用于工业化生产的氢化非晶亚氧化硅(a-SiOx:H)作为太阳能电池的钝化层的工艺方法。a-SiOx:H钝化层使用PECVD方法，在大概250℃条件下生长，气体由一氧化氮、氦气和硅烷组成。我们又进一步研究了退火对少数载流子寿命和表面复合速率的影响，因为其对太阳能电池的最终效率影响很大。在4 Ω cm，P型FZ硅片上测试，少数载流子寿命在退火前只有270us，在退火之后可以达到670us，相应的表面复合速率从70 cm/s 降到30 cm/s。光学特性分析发现，和在太阳能电池中经常使用的本征非晶硅钝化层相比，a-SiOx:H在蓝光附近的光的吸收率有很大的下降。本文引入制作a-SiOx:H钝化层的方法成本低、质量高，适合于工业化生产。
%K a-SiOx:H
%K thermal annealing
%K PECVD<br>氢化非晶亚氧化硅
%K 退火
%K PECVD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9CB13B1D439D6A761008E05461B6994A&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=94C357A881DFC066&sid=71E7E5DF8CD408F1&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0