Material properties and effective work function of reactive sputtered TaN gate electrodes
反应溅射的TaN金属栅的材料性质和有效功函数研究

本文研究了反应溅射的TaN金属栅的电阻，晶体结构和有效功函数(EWF). 原始生长的TaN薄膜具有fcc 结构。经过900 oC后金属退火（PMA），反应溅射时的氮气流量大于6.5 sccm的TaN仍保持fcc 结构，而反应溅射时的氮气流量小于6.25 sccm的TaN显示了微结构的变化。接着测量了用TaN作为电极的SiO2 和HfO2 栅平带电压随TaN反应溅射时氮气流量的变化。结果显示在介电质和TaN的界面会形成一个电偶矩，它对EWF的贡献会随TaN中的Ta/N比、介质层的性质和 PMA条件不同而变化。