%0 Journal Article
%T Material properties and effective work function of reactive sputtered TaN gate electrodes<br>反应溅射的TaN金属栅的材料性质和有效功函数研究
%A Zhang Manhong
%A Huo Zongliang
%A Wang Qin
%A Liu Ming
%A <br>张满红
%A 霍宗亮
%A 王琴
%A 刘明
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 本文研究了反应溅射的TaN金属栅的电阻，晶体结构和有效功函数(EWF). 原始生长的TaN薄膜具有fcc 结构。经过900 oC后金属退火（PMA），反应溅射时的氮气流量大于6.5 sccm的TaN仍保持fcc 结构，而反应溅射时的氮气流量小于6.25 sccm的TaN显示了微结构的变化。接着测量了用TaN作为电极的SiO2 和HfO2 栅平带电压随TaN反应溅射时氮气流量的变化。结果显示在介电质和TaN的界面会形成一个电偶矩，它对EWF的贡献会随TaN中的Ta/N比、介质层的性质和 PMA条件不同而变化。
%K metal gate
%K thermal stability
%K effective work function
%K dipole<br>金属栅，热稳定，有效功函数，电偶矩
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3DFC88ABA190FA3055014E726A42BA8D&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=94C357A881DFC066&sid=2BAEBFD25A6E363F&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0