Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 memory capacitor on Si with a polycrystalline silicon/SiO2 stacked buffer layer
Si衬底上具有Poly-Si/SiO2堆叠缓冲层的Pb (Zr0.52Ti0.48)O3 存储电容

在p型Si衬底上沉积多晶硅薄膜和Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT)薄膜形成过渡层。测试淀积在多晶硅上的PZT薄膜不同退火温度的X射线衍射峰。Pt/PZT/poly-Si电容被研究。由于PZT薄膜的铁电极化特性，金属/铁电/多晶硅/二氧化硅/Si结构存储电容在650度退火展示了其顺时针的电压-电容曲线。存储窗口随着SiO2电容和PZT电容的耦合比的增加而增大。