%0 Journal Article
%T Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 memory capacitor on Si with a polycrystalline silicon/SiO2 stacked buffer layer<br>Si衬底上具有Poly-Si/SiO2堆叠缓冲层的Pb (Zr0.52Ti0.48)O3 存储电容
%A Chen Haiyang
%A Li Ping
%A Zhai Yahong
%A Song Zhitang
%A Chen Houpeng
%A <br>蔡道林
%A 李平
%A 翟亚红
%A 宋志棠
%A 陈后鹏
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 在p型Si衬底上沉积多晶硅薄膜和Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 (PZT)薄膜形成过渡层。测试淀积在多晶硅上的PZT薄膜不同退火温度的X射线衍射峰。Pt/PZT/poly-Si电容被研究。由于PZT薄膜的铁电极化特性，金属/铁电/多晶硅/二氧化硅/Si结构存储电容在650度退火展示了其顺时针的电压-电容曲线。存储窗口随着SiO2电容和PZT电容的耦合比的增加而增大。
%K capacitor
%K thin film
%K memory<br>PZT薄膜，
%K 存储电容，
%K 存储窗口
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D52C2BA5472F4DEC8031F9E348BE2678&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=04F3FB3AFE39FE4B&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=18