High-quality homoepitaxial layers grown on 4H-SiC at a high growth rate by vertical LPCVD
利用垂直热壁CVD法快速生长高质量的4H-SiC同质外延膜

利用新改进的垂直低压热壁CVD 设备，应用TCS 和C2H4 分别作为Si 源和C 源，在偏8°晶向的4H-SiC 衬底上生长出了高质量的外延膜。当生长温度在1500℃到1530℃之间时，生长速率达到了25-30μm/h。50μm 厚的外延膜（生长2 小时）的结晶质量和表面粗糙度和薄的外延膜（生长30 分钟）相比均没有发生恶化。外延膜的背景掺杂浓度下降到了2.13×1015cm-3。另外，本文还研究了C/Si 对生长速率和外延膜结晶质量的影响。