%0 Journal Article
%T High-quality homoepitaxial layers grown on 4H-SiC at a high growth rate by vertical LPCVD<br>利用垂直热壁CVD法快速生长高质量的4H-SiC同质外延膜
%A Wu Hailei
%A Sun Guosheng
%A Yang Ting
%A Yan Guoguo
%A Wang Lei
%A Zhao Wanshun
%A Liu Xingfang
%A Zeng Yiping
%A Wen Jialiang
%A <br>吴海雷
%A 孙国胜
%A 杨挺
%A 闫果果
%A 王雷
%A 赵万顺
%A 刘兴昉
%A 曾一平
%A 温家良
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 利用新改进的垂直低压热壁CVD 设备，应用TCS 和C2H4 分别作为Si 源和C 源，在偏8°晶向的4H-SiC 衬底上生长出了高质量的外延膜。当生长温度在1500℃到1530℃之间时，生长速率达到了25-30μm/h。50μm 厚的外延膜（生长2 小时）的结晶质量和表面粗糙度和薄的外延膜（生长30 分钟）相比均没有发生恶化。外延膜的背景掺杂浓度下降到了2.13×1015cm-3。另外，本文还研究了C/Si 对生长速率和外延膜结晶质量的影响。
%K 4H-SiC
%K homoepitaxial growth
%K vertical hot wall CVD
%K crystal morphology<br>4H-SiC
%K 同质外延生长
%K 垂直热壁CVD
%K 结晶质量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3DFC88ABA190FA307CF9BF484E5D8A52&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=E158A972A605785F&sid=D859CA4D10399B76&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0