A flexible logic circuit based on a MOS-NDR transistor in standard CMOS technology
基于标准CMOS工艺制作的MOS-NDR柔性逻辑电路

本文利用0.35um标准CMOS工艺实现了一种由4个nMOSFET构成的MOS型负阻器件。这种负阻器件的I-V特性与传统的化合物材料构成的共振隧穿二极管（RTD）的特性类似，而且可以通过第三端来调制其I-V特性。基于这种MOS型负阻器件，本文实现了一种通过调节阈值电压来实现与非门（NAND）到或非门（NOR）转变的柔性逻辑电路。此种电路所用器件较少，而且由于使用标准IC的设计和工艺流程，制作工艺大大简化。