%0 Journal Article
%T A flexible logic circuit based on a MOS-NDR transistor in standard CMOS technology<br>基于标准CMOS工艺制作的MOS-NDR柔性逻辑电路
%A Wang Wei
%A Huang Beiju
%A Dong Zan
%A Guo Weilian
%A Chen Hongda
%A <br>王伟
%A 黄北举
%A 董赞
%A 郭维廉
%A 陈弘达
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文利用0.35um标准CMOS工艺实现了一种由4个nMOSFET构成的MOS型负阻器件。这种负阻器件的I-V特性与传统的化合物材料构成的共振隧穿二极管（RTD）的特性类似，而且可以通过第三端来调制其I-V特性。基于这种MOS型负阻器件，本文实现了一种通过调节阈值电压来实现与非门（NAND）到或非门（NOR）转变的柔性逻辑电路。此种电路所用器件较少，而且由于使用标准IC的设计和工艺流程，制作工艺大大简化。
%K MOS-NDR
%K CMOS
%K resonant tunneling diode
%K monostable-bistable transition logic element
%K flexible logic gate<br>MOS负阻器件
%K CMOS
%K 共振隧穿二极管（RTD）
%K 单稳-双稳转换逻辑单元
%K 柔性逻辑门
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7A1AFAC04C165AB50D4231CC83985371&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=94C357A881DFC066&sid=EE8F915314A695C7&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1