一种采用全温度曲率补偿的2.2-V 2.9-ppm/℃ BiCMOS带隙基准源

本文提出了一种兼容标准BiCMOS工艺的高阶曲率补偿带隙基准源。通过简单的架构产生了一种新型的指数曲率补偿和分段曲率补偿，从而实现了全温度范围内的温度补偿。基于0.6-μm BCD工艺进行验证，实验结果表明该基准在3.6V电源电压下可以达到2.9 ppm/℃的温度系数，高达85 dB的电源抑制比，并且优于0.318mV/V的线性调整率。电路最大仅消耗45 μA供电电流。带隙基准源的有效面积为260×240 μm2。