%0 Journal Article
%T 一种采用全温度曲率补偿的2.2-V 2.9-ppm/℃ BiCMOS带隙基准源
%A 周泽坤
%A 马颖乾
%A 明鑫
%A 张波
%A 李肇基
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文提出了一种兼容标准BiCMOS工艺的高阶曲率补偿带隙基准源。通过简单的架构产生了一种新型的指数曲率补偿和分段曲率补偿，从而实现了全温度范围内的温度补偿。基于0.6-μm BCD工艺进行验证，实验结果表明该基准在3.6V电源电压下可以达到2.9 ppm/℃的温度系数，高达85 dB的电源抑制比，并且优于0.318mV/V的线性调整率。电路最大仅消耗45 μA供电电流。带隙基准源的有效面积为260×240 μm2。
%K 高阶曲率补偿
%K 指数曲率补偿
%K 分段曲率补偿
%K BiCMOS带隙基准源
%K 温度系数
%K 电源抑制比
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3F6C45045AEF62283F25BA14FAF4E818&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=985A2658B048ECC7&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0