PDSOI DTMOS for analog and RF application
部分耗尽DTMOS的模拟和射频特性研究

基于0.35μm部分耗尽SOI CMOS工艺技术平台，我们实现了一种H栅型PDSOI动态阈值MOS晶体管。通过比较H栅型PDSOI动态阈值NMOS和传统PDSOI H栅NMOS的模拟和射频特性，我们深入研究了此类H栅型PDSOI动态阈值NMOS不同于其他H栅MOS器件的工作原理和物理机制。实验结果表明，此类H栅型PDSOI动态阈值NMOS在栅源电压为0.7V和漏源电压为1V的情况下，可获得40GHz截止频率和29.43GHz最大振荡频率。