%0 Journal Article
%T PDSOI DTMOS for analog and RF application<br>部分耗尽DTMOS的模拟和射频特性研究
%A Wang Yiqi
%A Liu Mengxin
%A Bi Jinshun
%A Han Zhengsheng
%A <br>王一奇
%A 刘梦新
%A 毕津顺
%A 韩郑生
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 基于0.35μm部分耗尽SOI CMOS工艺技术平台，我们实现了一种H栅型PDSOI动态阈值MOS晶体管。通过比较H栅型PDSOI动态阈值NMOS和传统PDSOI H栅NMOS的模拟和射频特性，我们深入研究了此类H栅型PDSOI动态阈值NMOS不同于其他H栅MOS器件的工作原理和物理机制。实验结果表明，此类H栅型PDSOI动态阈值NMOS在栅源电压为0.7V和漏源电压为1V的情况下，可获得40GHz截止频率和29.43GHz最大振荡频率。
%K silicon-on-insulator
%K dynamic threshold voltage
%K analog and RF characteristics<br>绝缘体上硅
%K 动态阈值电压
%K 模拟和射频特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9CB13B1D439D6A76A99B817339CC9682&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=94C357A881DFC066&sid=F30C8D2FD1A068A8&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0