一种0.18μm全集成锗硅BiCMOS功率放大器设计

本文提出了一种用于多模前端集成电路的全集成功率放大器，该功率放大器采用0.18μm锗硅BiCMOS工艺设计，所有匹配网络及元件全部片上集成。利用负载牵引测试技术，得到了最佳功率放大级器件尺寸，并对版图进行了优化，最终的测试结果显示：该功率放大器在2.4GHz处最大输出功率达到24dBm，在5dBm功率输入时，得到输出1dB功率压缩点，为21dBm，此时功率附加效率为18%。该功率放大器全部片上测试，没有任何邦定线及片上匹配，可用于多模片上系统的功率模组集成。