%0 Journal Article
%T 一种0.18μm全集成锗硅BiCMOS功率放大器设计
%A 陈磊
%A 阮颖
%A 苏杰
%A 张书霖
%A 石春琦
%A 赖宗声
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 本文提出了一种用于多模前端集成电路的全集成功率放大器，该功率放大器采用0.18μm锗硅BiCMOS工艺设计，所有匹配网络及元件全部片上集成。利用负载牵引测试技术，得到了最佳功率放大级器件尺寸，并对版图进行了优化，最终的测试结果显示：该功率放大器在2.4GHz处最大输出功率达到24dBm，在5dBm功率输入时，得到输出1dB功率压缩点，为21dBm，此时功率附加效率为18%。该功率放大器全部片上测试，没有任何邦定线及片上匹配，可用于多模片上系统的功率模组集成。
%K 锗硅，BiCMOS
%K 功率放大器，全集成，多模
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9CB13B1D439D6A76CBBDBB945D8585F3&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=94C357A881DFC066&sid=E6C169B857FCB9A2&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0