RF CMOS modeling: a novel empirical large-signal model for an RF-MOSFET
射频CMOS建模：一种新型的用于RF-MOSFET大信号经验模型

本文提出了一种新的用于RF-MOSFET的大信号经验模型。通过分析SMICs 0.18μm RF-CMOS工艺制造的32指nMOSFET，对模型的直流、交流、小信号和大信号特性进行了验证。本模型考虑了自热效应所引起的功率耗散。器件的直流、S参数(500MHz~40GHz)和功率特性的测试与仿真数据得到了很好的吻合，这表明我们的模型是精确而且有效的。