%0 Journal Article
%T RF CMOS modeling: a novel empirical large-signal model for an RF-MOSFET<br>射频CMOS建模：一种新型的用于RF-MOSFET大信号经验模型
%A Sun Lingling L Binyi Liu Jun Chen Lei
%A <br>孙玲玲
%A 吕彬义
%A 刘军
%A 陈磊
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文提出了一种新的用于RF-MOSFET的大信号经验模型。通过分析SMICs 0.18μm RF-CMOS工艺制造的32指nMOSFET，对模型的直流、交流、小信号和大信号特性进行了验证。本模型考虑了自热效应所引起的功率耗散。器件的直流、S参数(500MHz~40GHz)和功率特性的测试与仿真数据得到了很好的吻合，这表明我们的模型是精确而且有效的。
%K RF-MOSFET
%K large-signal model
%K self heating<br>RF-MOSFET、大信号模型、自热效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0B1A2F54872CA1C43269D92A044C5B23&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=E158A972A605785F&sid=2019FB9FC9E8FFAF&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0