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半导体学报 2009
0.18μm RF CMOS 3-5 GHz TH-UWB 通信射频发信机Keywords: CMOS,,发信机,跳时超宽带(,TH-UWB) Abstract: 本文给出一种3-5 GHz射频TH-UWB发信机的设计。该发信机由一个4GHz的振荡器,一个带衰减控制的MOS开关和一个输出匹配电路构成。由低速TH-PPM信号控制,该发信机输出中心频率为4GHz的TH-UWB信号,并能直接通过传输线驱动天线。采用0.18μm RF CMOS工艺实现,在1.8V电源下,输出信号峰值幅度在50Ω负载上为65mV。电路输出端口回波损耗S11小于-10dB。芯片占用面积为0.7 mm 0.8 mm,功耗为12.3mW。
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