%0 Journal Article
%T 0.18μm RF CMOS 3-5 GHz TH-UWB 通信射频发信机
%A 段吉海
%A 王志功
%A 李智群
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 本文给出一种3-5 GHz射频TH-UWB发信机的设计。该发信机由一个4GHz的振荡器，一个带衰减控制的MOS开关和一个输出匹配电路构成。由低速TH-PPM信号控制，该发信机输出中心频率为4GHz的TH-UWB信号，并能直接通过传输线驱动天线。采用0.18μm RF CMOS工艺实现，在1.8V电源下，输出信号峰值幅度在50Ω负载上为65mV。电路输出端口回波损耗S11小于-10dB。芯片占用面积为0.7 mm 0.8 mm，功耗为12.3mW。
%K CMOS
%K ，发信机，跳时超宽带（
%K TH-UWB）
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9AB07CB16BB9201ED28E1CA968B1AC8A&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=4D0C49B80E25AA3B&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0