High breakdown voltage InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors with fmax = 256 GHz and BVCEO = 8.3 V
高击穿电压的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管

利用台面工艺以及平坦化技术制作了带有复合式集电区的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。所有的工艺都是在3英寸圆片上进行的。发射极面积为1μm15μm的器件，电流增益截止频率为170GHz，最高振荡频率为256GHz，击穿电压为8.3V，这是国内报道的击穿电压最高的InP HBT器件。高的振荡频率以及击穿电压，使得此种类型的器件十分适用于W波段及以上频段压控振荡器（VCO）以及混频器（Mixer）的制作。