%0 Journal Article
%T High breakdown voltage InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistors with fmax = 256 GHz and BVCEO = 8.3 V<br>高击穿电压的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管
%A Cheng Wei
%A Zhao Yan
%A Gao Hanchao
%A Chen Chen
%A Yang Naibin
%A <br>程伟
%A 赵岩
%A 高汉超
%A 陈辰
%A 杨乃彬
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 利用台面工艺以及平坦化技术制作了带有复合式集电区的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。所有的工艺都是在3英寸圆片上进行的。发射极面积为1μm15μm的器件，电流增益截止频率为170GHz，最高振荡频率为256GHz，击穿电压为8.3V，这是国内报道的击穿电压最高的InP HBT器件。高的振荡频率以及击穿电压，使得此种类型的器件十分适用于W波段及以上频段压控振荡器（VCO）以及混频器（Mixer）的制作。
%K InP
%K double heterojunction bipolar transistor
%K planarization<br>InGaAsP
%K 双异质结双极晶体管
%K 击穿电压
%K InP
%K GHz
%K 最高振荡频率
%K DHBT
%K 截止频率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AF837C3964F7310FD0A7D00DC188E927&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=9BC065A6C4D9E399&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8