A new integrated SOI power device based on self-isolation technology
基于自隔离技术的可集成SOI高压功率器件新结构

SOI功率器件的高耐压和高、低压间良好的隔离效果是SOI高压功率集成电路（SOI HVIC）的两项关键技术。本文提出在埋氧层（buried oxide layer，BOX）上表面处埋N岛 (buried n-islands，BNI) 的SOI LDMOS高压功率器件新结构，该结构采用自隔离技术使SOI HPIC中高压功率器件与低压控制电路单元之间达到理想的隔离效果。此外，N岛中的施主离子和位于耗尽N岛间的空穴使BOX层的电场强度从32V/μm增加到113V/μm，同时对漂移区表面电场分布进行调制，最终使器件击穿电压（BV）显著提高。实验测得一个BNI SOI LDMOS样品的耐压为673V，并在SOI HVPIC中表现出良好的隔离特性。