%0 Journal Article
%T A new integrated SOI power device based on self-isolation technology<br>基于自隔离技术的可集成SOI高压功率器件新结构
%A Gao Huanmei
%A Luo Xiaorong
%A Zhang Wei
%A Deng Hao
%A Lei Tianfei
%A <br>高唤梅
%A 罗小蓉
%A 张伟
%A 邓浩
%A 雷天飞
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X SOI功率器件的高耐压和高、低压间良好的隔离效果是SOI高压功率集成电路（SOI HVIC）的两项关键技术。本文提出在埋氧层（buried oxide layer，BOX）上表面处埋N岛 (buried n-islands，BNI) 的SOI LDMOS高压功率器件新结构，该结构采用自隔离技术使SOI HPIC中高压功率器件与低压控制电路单元之间达到理想的隔离效果。此外，N岛中的施主离子和位于耗尽N岛间的空穴使BOX层的电场强度从32V/μm增加到113V/μm，同时对漂移区表面电场分布进行调制，最终使器件击穿电压（BV）显著提高。实验测得一个BNI SOI LDMOS样品的耐压为673V，并在SOI HVPIC中表现出良好的隔离特性。
%K buried n-islands
%K self-isolation
%K breakdown voltage
%K electric field
%K SOI oindent<br>埋N岛
%K 自隔离
%K 击穿电压
%K 电场强度
%K SOI
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=15A174C180586E4629A0CE317670BA47&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=5D311CA918CA9A03&sid=57EF4F935E4E91A8&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0