Ultra-low specific on-resistance SOI double-gate trench-type MOSFET
超低比导通电阻SOI双栅槽型MOSFET

本文提出了超低比导通电阻(Ron,sp) SOI双栅槽型MOSFET(DG Trench MOSFET)。此MOSFET的特点是拥有双栅和一个氧化物槽：氧化物槽位于漂移区，一个槽栅嵌入氧化物槽，另一个槽栅延伸到埋氧层。首先，双栅依靠形成双导电沟道来减小Ron,sp；其次，氧化物槽不仅折叠漂移区，而且调制电场，从而减小元胞尺寸，增大击穿电压。当DG Trench MOSFET的半个元胞尺寸为3μm时，它的击穿电压为93V，Ron,sp为51.8mΩ?mm2。与SOI单栅MOSFET(SG MOSFET)和SOI单栅槽型MOSFET(SG Trench MOSFET)相比，在相同的BV下，DG Trench MOSFET的Ron,sp分别地降低了63.3%和33.8%。