%0 Journal Article
%T Ultra-low specific on-resistance SOI double-gate trench-type MOSFET<br>超低比导通电阻SOI双栅槽型MOSFET
%A Lei Tianfei
%A Luo Xiaorong
%A Ge Rui
%A Chen Xi
%A Wang Yuangang
%A Yao Guoliang
%A Jiang Yongheng
%A Zhang Bo
%A Li Zhaoji
%A <br>雷天飞
%A 罗小蓉
%A 葛锐
%A 陈曦
%A 王元刚
%A 姚国亮
%A 蒋永恒
%A 张波
%A 李肇基
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 本文提出了超低比导通电阻(Ron,sp) SOI双栅槽型MOSFET(DG Trench MOSFET)。此MOSFET的特点是拥有双栅和一个氧化物槽：氧化物槽位于漂移区，一个槽栅嵌入氧化物槽，另一个槽栅延伸到埋氧层。首先，双栅依靠形成双导电沟道来减小Ron,sp；其次，氧化物槽不仅折叠漂移区，而且调制电场，从而减小元胞尺寸，增大击穿电压。当DG Trench MOSFET的半个元胞尺寸为3μm时，它的击穿电压为93V，Ron,sp为51.8mΩ?mm2。与SOI单栅MOSFET(SG MOSFET)和SOI单栅槽型MOSFET(SG Trench MOSFET)相比，在相同的BV下，DG Trench MOSFET的Ron,sp分别地降低了63.3%和33.8%。
%K double gates
%K trench
%K specific on-resistance
%K breakdown voltage<br>MOSFET
%K 沟槽型
%K SOI
%K 双栅
%K 体电阻
%K 绝缘体上硅
%K 氧化沟
%K 击穿电压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A0C0AC355ED3D7741DBCF2C355A03370&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=86A1F3B83D6F1551&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=11