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半导体学报 2012
Fabrication and temperature dependence of a GaInP/GaAs/Ge tandem solar cell
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Abstract:
利用MOCVD方法制备了GaInP/GaAs/Ge叠层太阳电池。测试了I-V特性，并测试分析了该电池性能在30℃至170℃温度范围内的变化情况。测试结果表明，随着温度的升高，短路电流密度略微增大，温度系数为9.8 (μA/cm2)/℃；开路电压以系数-5.6mV/℃急剧下降；填充因子也随之下降（-0.00063 /℃）；电池的转换效率随温度升高线性减小，温度从30℃升高至 130℃时，效率从28%下降至22.1%。最后，本文对该叠层电池随着温度变化的特性给予了详细的理论分析。
