%0 Journal Article
%T Fabrication and temperature dependence of a GaInP/GaAs/Ge tandem solar cell<br>GaInP/GaAs/Ge叠层太阳电池的研制及其温度依赖性分析
%A Cui Min
%A Chen Nuofu
%A Yang Xiaoli
%A Zhang Han
%A <br>崔敏
%A 陈诺夫
%A 杨晓丽
%A 张汉
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 利用MOCVD方法制备了GaInP/GaAs/Ge叠层太阳电池。测试了I-V特性，并测试分析了该电池性能在30℃至170℃温度范围内的变化情况。测试结果表明，随着温度的升高，短路电流密度略微增大，温度系数为9.8 (μA/cm2)/℃；开路电压以系数-5.6mV/℃急剧下降；填充因子也随之下降（-0.00063 /℃）；电池的转换效率随温度升高线性减小，温度从30℃升高至 130℃时，效率从28%下降至22.1%。最后，本文对该叠层电池随着温度变化的特性给予了详细的理论分析。
%K GaInP/GaAs/Ge
%K tandem solar cells
%K temperature dependence
%K solar energy<br>太阳能电池
%K 温度依赖性
%K 砷化镓
%K GaInP
%K 串联
%K MOCVD技术
%K 制造
%K 锗
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4CFB0EE1AD3DD1DF5995CE8DE42AD415&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=0B39A22176CE99FB&sid=C8BDA320CDBF89A7&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=14