Enhancement-mode InAlN/GaN MISHEMT with low gate leakage current
低栅漏电的增强型InAlN/GaN MISHEMT

中文：本文报道了采用热氧化的技术实现低栅泄漏电的增强型InAlN/GaN MISHEMT。在VDS=5V和VGS=0V时，关态漏极电流达到了10-7A/mm。器件的阈值电压为2.2V。当VDS=5V时，漏极电流在VGS=4.5V时，达到349mA/mm,在VGS=3.4V时，最大跨导为179ms/mm。在当VGS= -15V时候，器件的反向栅泄漏电流达到4.9?10-7A/mm。