%0 Journal Article %T Enhancement-mode InAlN/GaN MISHEMT with low gate leakage current
低栅漏电的增强型InAlN/GaN MISHEMT %A Gu Guodong %A Cai Yong %A Feng Zhihong %A Liu Bo %A Zeng Chunhong %A Yu Guohao %A Dong Zhihua %A Zhang Baoshun %A
顾国栋 %A 蔡勇 %A 冯志红 %A 刘波 %A 曾春红 %A 于国浩 %A 董志华 %A 张宝顺 %J 半导体学报 %D 2012 %I %X 中文:本文报道了采用热氧化的技术实现低栅泄漏电的增强型InAlN/GaN MISHEMT。在VDS=5V和VGS=0V时,关态漏极电流达到了10-7A/mm。器件的阈值电压为2.2V。当VDS=5V时,漏极电流在VGS=4.5V时,达到349mA/mm,在VGS=3.4V时,最大跨导为179ms/mm。在当VGS= -15V时候,器件的反向栅泄漏电流达到4.9?10-7A/mm。 %K enhancement-mode %K InAlN/GaN HEMT %K threshold voltage %K thermal oxidation %K gate leakage
漏电流密度 %K 氮化镓 %K 闸 %K 线性外推法 %K 氧化技术 %K 阈值电压 %K 传输特性 %K 栅偏压 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=649CF1A01F52D571F572ED14D6B1503B&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=B31275AF3241DB2D&sid=DBD250C2F5FE7092&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=14