%0 Journal Article
%T Enhancement-mode InAlN/GaN MISHEMT with low gate leakage current<br>低栅漏电的增强型InAlN/GaN MISHEMT
%A Gu Guodong
%A Cai Yong
%A Feng Zhihong
%A Liu Bo
%A Zeng Chunhong
%A Yu Guohao
%A Dong Zhihua
%A Zhang Baoshun
%A <br>顾国栋
%A 蔡勇
%A 冯志红
%A 刘波
%A 曾春红
%A 于国浩
%A 董志华
%A 张宝顺
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 中文：本文报道了采用热氧化的技术实现低栅泄漏电的增强型InAlN/GaN MISHEMT。在VDS=5V和VGS=0V时，关态漏极电流达到了10-7A/mm。器件的阈值电压为2.2V。当VDS=5V时，漏极电流在VGS=4.5V时，达到349mA/mm,在VGS=3.4V时，最大跨导为179ms/mm。在当VGS= -15V时候，器件的反向栅泄漏电流达到4.9?10-7A/mm。
%K enhancement-mode
%K InAlN/GaN HEMT
%K threshold voltage
%K thermal oxidation
%K gate leakage<br>漏电流密度
%K 氮化镓
%K 闸
%K 线性外推法
%K 氧化技术
%K 阈值电压
%K 传输特性
%K 栅偏压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=649CF1A01F52D571F572ED14D6B1503B&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=B31275AF3241DB2D&sid=DBD250C2F5FE7092&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=14