A high-performance enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT
高性能的增强型AlGaN/GaN HEMT

采用氟离子处理的方法实现了阈值电压0.35V的增强型AlGaN/GaN HEMT 器件。该器件展示了高性能直流特性，最大饱和电流 667mA/mm，器件的峰值跨导达到203ms/mm。 1μm栅长电流增益截止频率和最大振荡截止频率分别为10.3GHz和12.5GHz，并且小信号特性在器件氟离子处理后并没有出现衰退。最后，采用SIMS的实验结果辅助进行了数值仿真，对氟离子在势垒层中起受主缺陷的理论给出了合理的解释。