%0 Journal Article
%T A high-performance enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT<br>高性能的增强型AlGaN/GaN HEMT
%A Feng Zhihong
%A Xie Shengyin
%A Zhou Rui
%A Yin Jiayun
%A Zhou Wei
%A Cai Shujun
%A <br>冯志红
%A 谢圣银
%A 周瑞
%A 尹甲运
%A 周伟
%A 蔡树军
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 采用氟离子处理的方法实现了阈值电压0.35V的增强型AlGaN/GaN HEMT 器件。该器件展示了高性能直流特性，最大饱和电流 667mA/mm，器件的峰值跨导达到203ms/mm。 1μm栅长电流增益截止频率和最大振荡截止频率分别为10.3GHz和12.5GHz，并且小信号特性在器件氟离子处理后并没有出现衰退。最后，采用SIMS的实验结果辅助进行了数值仿真，对氟离子在势垒层中起受主缺陷的理论给出了合理的解释。
%K enhancement-mode
%K AlGaN/GaN HEMT
%K fluorine plasma
%K threshold voltage
%K numerical simulation oindent<br>AlGaN/GaN
%K 高电子迁移率晶体管
%K 氟基等离子
%K 阈值电压
%K 数值仿真
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8CF68D40F28B3D2E644A8933D6C138D2&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=5D311CA918CA9A03&sid=1681D7B7CE50EA96&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0